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一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管

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本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种基于硅衬底的P型沟道赝配异质结场效应晶体管，由下至上依次包括：衬底、低温GaAs晶格应变缓冲层、梯度GaAs

著录项

公开/公告号CN206602116U

专利类型实用新型
公开/公告日2017-10-31

原文格式PDF
申请/专利权人成都海威华芯科技有限公司;
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申请/专利号CN201720289445.5
发明设计人黎明;陈汝钦;
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申请日2017-03-22
分类号
代理机构成都华风专利事务所(普通合伙);
代理人徐丰
地址 610029 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内
入库时间 2022-08-22 03:08:57

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2017-10-31

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