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硅衬底上铁电薄膜的自偏压异质结效应

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本文运用半导体能带理论探讨了硅衬底上铁电薄膜的异质结效应的物理模型．对用sol－gel工艺制备的PZT／Si结构的极化特性、开关特性和I－V特性的实验研究证实了这种效应．

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来源
《半导体学报》 |1997年第2期|113-117|共5页
作者
于军; 周文利; 曹广军; 谢基凡; 吴正元;
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作者单位

华中理工大学固体电子学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类其他半导体材料;
关键词
硅衬底; 铁电薄膜; 异质结效应;

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