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公开/公告号CN206420436U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-08-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国空气动力研究与发展中心超高速空气动力研究所;
申请/专利号CN201621472187.6
发明设计人 邱华诚;李绪国;王雄;袁明权;张凤田;高扬;郭海潮;
申请日2016-12-29
分类号
代理机构核工业专利中心;
代理人吕岩甲
地址 621000 四川省绵阳市二环路南段6号
入库时间 2022-08-22 02:52:16
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-08-18
授权
机译: P型MOS晶体管的制造方法,具有该P型MOS晶体管的CMOS型半导体装置的制造方法以及使用该制造方法制造的CMOS型半导体装置
机译: 制造P型MOS晶体管的方法,制造具有P型MOS晶体管的CMOS型半导体装置的方法以及使用该制造方法制造的CMOS型半导体装置
机译: P型MOS晶体管的制造方法,使用该P型MOS晶体管的CMOS型半导体器件的制造方法以及该方法制造的CMOS型半导体器件
机译:CMOS时间模式智能温度传感器使用可编程温度补偿装置和Delta Sigma时间到数字转换器
机译:使用分段曲率温度补偿技术从无电阻CMOS带隙基准电路产生低于1V的基准电压
机译:SOI CMOS中的时域带隙温度传感器,用于高温应用
机译:温度补偿对数CMOS图像传感器使用CMOS电压参考带隙方法
机译:II型带间级联半导体激光器中载流子传输的研究。
机译:用于生物传感器的灵敏的全耗尽型电解质-绝缘体-半导体场效应晶体管的标准CMOS制作
机译:半导体应变计厚膜温度补偿电路
机译:采用45nm绝缘硅互补金属氧化物半导体(sOI CmOs)的94GHz温度补偿低噪声放大器。