一种具有N‑/N+/N+型三维结构的半导体晶圆

摘要

一种具有N‑/N+/N+型三维结构的半导体晶圆，涉及一种半导体晶圆，在半导体晶圆上设有连接层和导通层，连接层和导通层设置在半导体晶圆的任意面上，半导体晶圆是导电型号为N型的高阻区，即N‑区；连接层是导电型号为N型的高浓度区，即N+区，阵列状分布的连接体一端植入半导体晶圆内部，另一端在半导体晶圆的底面通过导通层互相连接；导通层是导电型号为N型的高浓度区，即N+区，在半导体晶圆背面，导通层上设置有保护层；本实用新型实用性强，使用起来比较简单，控制方案严密、协调、效果好、设计巧妙，易于实施，在节能的同时也极大的方便了客户的需求，同时也极大的提高半导体性能。