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n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触

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摘要

采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+ SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/n+ SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单、性能优良的优点.

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来源
《半导体学报》 |2006年第z1期|378-380|共3页
作者
张林; 张义门; 张玉明; 汤晓燕;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所;

教育部宽禁带半导体材料重点实验室;

西安;

710071 西安电子科技大学微电子研究所;

教育部宽禁带半导体材料重点实验室;

西安;

710071 西安电子科技大学微电子研究所;

教育部宽禁带半导体材料重点实验室;

西安;

710071 西安电子科技大学微电子研究所;

教育部宽禁带半导体材料重点实验室;

西安;

710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
SiC; 欧姆接触; 多晶硅; 异质结;

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