首页> 中国专利> 一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件

一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件

页面导航

摘要

本实用新型公开了一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件。该器件包括衬底材料上依次形成的GaN成核层，GaN缓冲层，AlN插入层，In组分渐变InAlN势垒层，GaN帽层，SiN钝化层以及其上形成的栅极、源极和漏极，其特征是底层In

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-15

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L29/06 授权公告日:20161026 终止日期:20190524 申请日:20160524

专利权的终止
2016-10-26

授权

授权

1. 一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件 [P] . 中国专利： CN105870165A . 2016-08-17
2. 一种势垒层组分渐变的InAlN/GaN HEMT器件 [P] . 中国专利： CN205666237U . 2016.10.26
3. InAlN AlGaN Si GaN LOW SHEET RESISTANCE GAN CHANNEL ON SI SUBSTRATES USING INALN AND ALGAN BI-LAYER CAPPING STACK [P] . KR102330091B1 . 2021-11-25

机译： Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
4. LAMINATE TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING InAlN LAYER AND GaN LAYER [P] . 日本专利： JP2014056998A . 2014-03-27

机译：包括InAlN层和GaN层的叠层型氮化物半导体器件
5. Group III-nitride based HEMT device with insulating GaN/AlGaN buffer layer [P] . 美国专利： US2006073621A1 . 2006-04-06

机译：具有绝缘GaN / AlGaN缓冲层的基于III族氮化物的HEMT器件