法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-04
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/06 申请公布日:20160817 申请日:20160524
发明专利申请公布后的驳回
2016-09-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20160524
实质审查的生效
2016-08-17
公开
公开
机译: Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译: 包括InAlN层和GaN层的叠层型氮化物半导体器件
机译: 具有绝缘GaN / AlGaN缓冲层的基于III族氮化物的HEMT器件