基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器的制备方法，其特征是首先通过热蒸发的方法在三温区管式炉中合成制备p-型ZnSe纳米线，对n-型重掺杂Si片进行预处理，再用镊子将制备所得的p-型ZnSe纳米线呈片状揭下，揭下的片状p-型ZnSe纳米线平铺于备用重掺杂Si片上；所述片状p-型ZnSe纳米线不大于备用重掺杂Si片的面积；最后在片状p-型ZnSe纳米线的四周平辅绝缘层，再在片状p-型ZnSe纳米线上铺石墨烯电极，以使在感光层与石墨烯电极之间为欧姆接触，并且在n-型掺杂Si片与石墨烯电极之间为绝缘。本发明能有效增强纳米光电探测器的电信号，提高其开关比，增大光电探测器感光层面积。