MoO3-x/n-Si异质结型光电探测器的温度依赖特性

摘要

氧化钼薄膜是一种优异的空穴传输材料,其薄膜功函数具有显著的厚度依赖特征.通过精确控制真空热蒸发参数在n-Si微纳结构上沉积超薄氧化钼薄膜,成功构建MoO3-x/n-Si异质结型光电探测器.着重研究了光照强度对探测器光响应性能的影响,结果表明:随着光照强度增加,载流子的分离速率增加,同时伴随光生载流子复合速率降低;提出漂移/扩散模型光生载流子的定性解释了上述实验规律.进一步,通过变温实验还系统研究该异质结型光电探测器随温度变化规律,提出了热发射模型分析器件的温度依赖机制.

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