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公开/公告号CN113406164A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-17
原文格式PDF
申请/专利权人 西北大学;
申请/专利号CN202110666969.2
发明设计人 徐新龙;罗铭威;周译玄;黄媛媛;卢春辉;刘玉琪;韩涛涛;
申请日2021-06-16
分类号G01N27/30(20060101);
代理机构50231 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙);
代理人许攀
地址 710127 陕西省西安市长安区郭杜教育科技产业区学府大道1号
入库时间 2023-06-19 12:37:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-10
授权
发明专利权授予
机译: 基于石墨烯/黑磷/钼二硫化物/石墨烯异质结的快速光电探测器及其制备方法
机译: 基于石墨烯/钼二硫化物/石墨烯异质结的快速光电探测器及其制备方法
机译: 基于黑色磷/石墨烯/钼二硫化异质结的光电探测器及其制备方法
机译:基于Cs_2AgBiBr_6 / SnO_2异质结的高效稳定的自供电紫外深蓝光电探测器
机译:基于n-ZnO纳米棒/ p金刚石薄膜异质结的高效紫外光电探测器
机译:基于BIVO_4 / G-C_3N_4异质结具有TiO_2-MIL-125(TI)的Bivo_4 / G-C_3N_4异质结的新型光电化学免疫传感器
机译:基于高效双层石墨烯-HgCdTe异质结的 $ p ^ {+}-n $ tex>光电探测器,用于长波长红外(LWIR)
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于NiO /β-Ga2O3异质结的高性能深紫外光电探测器
机译:生物分子辅助合成氮化碳和硫掺杂氮化碳异质结纳米片:用于光电化学应用的高效异质结光催化剂
机译:高效异质结太阳能电池的光电导衰变寿命和太阳-Voc诊断:预印