Mg_(2)Si浓度对Mg_(2)Si/Si异质结光电探测器性能的影响

摘要

利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块建立了Mg_(2)Si/Si异质结光电探测器的模型,在此基础上计算了不同Mg_(2)Si浓度对Mg_(2)Si/Si异质结光电探测器的反向击穿电压、正向导通电压、响应度、噪声等效功率等性能的影响。仿真计算结果表明:Mg_(2)Si浓度不影响Mg2Si/Si异质结光电探测器的反向击穿电压和正向导通电压;不同Mg_(2)Si浓度Mg_(2)Si/Si异质结光电探测器的响应度随入射光波长的增加而先增加后减小;随着Mg2Si浓度的增加,Mg_(2)Si/Si异质结光电探测器的噪声等效功率依次减小;入射光波长为685nm时,不同Mg_(2)Si浓度的Mg2Si/Si异质结光电探测器的噪声等效功率均达到最小值。