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深沟槽多层光刻覆盖结构

摘要

本实用新型提供一种深沟槽多层光刻覆盖结构,解决使用光刻胶对深沟槽进行覆盖时,台阶覆盖不良以及显影不良的问题。本实用新型的结构包括一硅片,其上形成有深度大于90um的弧形沟槽;一底层光刻胶层,覆盖在所述弧形沟槽上方,以及所述弧形沟槽两侧的硅片平面上方;一上层光刻胶层,覆盖在所述底层光刻胶层上方;其中所述底层光刻胶层在硅片表面的光刻胶宽度大于所述上层光刻胶层在硅片表面的光刻胶宽度。本实用新型可以确保多层光刻胶在沟槽和硅片平面结合的台阶处形成覆盖,以及保证在最后沟槽外侧的光刻胶图案不会产生显影不良。

著录项

  • 公开/公告号CN204303755U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2015-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 力特半导体(无锡)有限公司;

    申请/专利号CN201420846833.5

  • 发明设计人 吴宗杰;夏杰宇;

    申请日2014-12-26

  • 分类号

  • 代理机构无锡华源专利事务所(普通合伙);

  • 代理人林弘毅

  • 地址 214028 江苏省无锡市新区硕放工业园振发六路三号

  • 入库时间 2022-08-22 00:34:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-29

    授权

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