公开/公告号CN204303755U
专利类型实用新型
公开/公告日2015-04-29
原文格式PDF
申请/专利权人 力特半导体(无锡)有限公司;
申请/专利号CN201420846833.5
申请日2014-12-26
分类号
代理机构无锡华源专利事务所(普通合伙);
代理人林弘毅
地址 214028 江苏省无锡市新区硕放工业园振发六路三号
入库时间 2022-08-22 00:34:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-04-29
授权
授权
机译: 具有牺牲金属层的多层深X射线光刻技术形成的微结构
机译: 通过多层深X射线光刻技术在牺牲金属层上形成微结构
机译: 通过多层深X射线光刻技术在牺牲金属层上形成微结构