法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-10-06
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C14/32 授权公告日:20081015 申请日:20070705
专利权的终止
2008-10-15
授权
授权
2008-04-30
地址不明的通知 收件人:吴先映 文件名称:补正通知书 申请日:20070705
地址不明的通知
机译: 真空弧蒸气沉积方法,真空弧蒸气沉积设备以及使用真空弧蒸气沉积方法制造的薄膜和物品
机译: 铟气相沉积保持膜,金属多层膜,铟气相沉积保持膜制造方法,金属多层膜制造方法和标志
机译: 用于例如钢的金刚石型碳膜镀膜机包括溅射磁控管,该溅射磁控管具有例如钨物理气相沉积法,并基于氩气和甲烷产生等离子体