深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法

摘要

本发明公开了一种深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法，包括步骤：采用OF方式，用去离子水对硅片进行预处理；将硅片浸入到磷酸槽中进行刻蚀处理将氮化硅完全去除。本发明方法通过在将硅片浸入到磷酸槽中之前，增加一个预处理的步骤，预处理步骤中的去离子水能够将形成于深沟槽底部的气泡全部排除，从而在后续的刻蚀处理中能够避免气泡干扰氮化硅和水的反应，最后能完全去除硅片表面的氮化硅、解决氮化硅残留问题，从而能提高产品良率。