公开/公告号CN103762197B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-03-16
原文格式PDF
申请/专利权人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;
申请/专利号CN201310721130.X
申请日2013-12-24
分类号H01L21/768(20060101);
代理机构31258 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人任益
地址 214135 江苏省无锡市菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
入库时间 2022-08-23 09:36:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-03-16
授权
授权
2014-06-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20131224
实质审查的生效
2014-04-30
公开
公开
机译: 半导体用铜键合线和铜键合线的键合结构
机译: 一种用于IC芯片键合的导电聚合物铜/铜表面键合方法
机译: 钯包覆铜键合线,制造钯包覆铜键合线的方法,使用相同的导线结结构,半导体装置以及制造相同方法的方法