公开/公告号CN103334088B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-02-24
原文格式PDF
申请/专利权人 辽宁太阳能研究应用有限公司;
申请/专利号CN201310298357.8
申请日2013-07-17
分类号
代理机构沈阳亚泰专利商标代理有限公司;
代理人史旭泰
地址 110136 辽宁省沈阳市沈北新区蒲城路26号
入库时间 2022-08-23 09:35:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-02-24
授权
授权
2013-11-06
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/34 申请日:20130717
实质审查的生效
2013-10-02
公开
公开
机译: 使用等离子体的低温薄膜沉积方法,将薄膜的沉积质量作为低温沉积系统
机译: 用原子层沉积法将氧化物薄膜浸入到卤化物中的卤化物掺杂源,制造卤剂掺杂物的方法,使用原子沉积法沉积到材料上的氧化物,用原子沉积法沉积的氧化膜,用原子方法沉积的薄膜用卤化物氧化薄膜
机译: 立方和六方InN薄膜及其与AlN的合金在低温下的等离子体辅助原子层外延