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晓予;
无;
氮化铟; 薄膜; 射频磁控管; 溅射; 沉积;
机译:通过射频沉积InN薄膜等离子体辅助反应离子束溅射沉积(R-IBD)技术
机译:射频磁控管与ZnO和Mg0.3Zn0.7O靶材共溅射沉积Mg(x)Zn1-x O薄膜的电学性能
机译:磁控管射频溅射沉积单相γ-In_2Se_3薄膜
机译:反应射频磁控溅射沉积InN薄膜的形貌和织构
机译:沉积参数与射频磁控溅射沉积氧化锆薄膜性能之间的关系。
机译:射频直流和射频叠加直流磁控溅射沉积的透明导电掺铝ZnO多晶薄膜的载流子输运和晶体学取向特征
机译:磁控管射频溅射沉积Pb(Zr,Ti)03的铁电薄膜。 :沉积膜的等离子体和物理性质的相关研究。
机译:研究沉积参数对射频溅射srs:Eu薄膜荧光粉的成分,微结构和发射的影响
机译:-通过高速脉冲直流磁控管溅射源沉积多晶硅和高功能薄膜涂层的溅射装置
机译:用于通过磁控管的靶涂覆基板的反应磁控溅射,包括:将与磁控管相对的基板布置;通过溅射雾化靶材料;以及将溅射的靶材料沉积到基板上
机译:磁控管结构中的薄膜的连续沉积系统,其特征在于“ PECVD”和溅射,以及磁场辅助沉积
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