用大气开放式MOCVD方法在玻璃基片上制备TiO2薄膜的研究

摘要

采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,在不同的实验条件下在玻璃基片上制备TiO2薄膜.当气化室温度为140°C,基片温度为350°C时,玻璃基片上生长的薄膜XRD谱中只出现了锐钛矿相(200)晶面的衍射峰,表明此时薄膜高度取向.通过SEM观察高度取向的TiO2薄膜表面出现四边形的微结构.