基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法

摘要

本发明提供了一种基于SOI衬底高可靠性的TSV工艺方法，不破坏SOI衬底固有硅-二氧化硅-硅夹层结构，直接进行SOI衬底的立体集成，形成的立体集成器件每一层都具有埋氧层；采用三步刻蚀技术替代目前的传统SOI？TSV工艺方法中的单步刻技术，首先刻蚀顶层硅，然后刻蚀埋氧层，最后刻蚀底层硅，顶层硅的刻蚀窗口要大于埋氧层和底层硅的刻蚀窗口，在埋氧层界面形成横向刻蚀余量。本发明避免发生漏电增加、耐压降低等安全隐患，增加了立体集成器件可靠性，可大幅提升SOI立体集成器件性能，可靠性高。