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形成包括具有与另一芯片前后接合的薄的间置芯片的多芯片层叠结构的方法

摘要

通过回流第一焊球(250)阵列,具有第一焊料衬垫(192)阵列的临时衬底(901)接合到第一衬底(101)的正面。通过去除背面来减薄第一衬底(101),第二焊料衬垫(142)阵列形成在第一衬底(101)的背侧表面上。第一衬底(101)和临时衬底(901)的组件被划片以形成多个层叠,其每一个包括第一半导体芯片(100)和处理部分(900)的组件。第二半导体芯片(200)通过第二焊球(150)阵列接合到组件。通过回流第一焊球(250)阵列从每个组件去除处理部分(900),同时第二焊球(150)阵列不会回流。组件随后利用第一焊球(250)阵列被安装在封装衬底(300)上。

著录项

  • 公开/公告号CN103003938B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-01-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN201180015676.2

  • 申请日2011-03-03

  • 分类号H01L23/48(20060101);H01L23/12(20060101);

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人金晓

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2022-08-23 09:33:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-01

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L23/48 登记生效日:20171113 变更前: 变更后: 申请日:20110303

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-01-13

    授权

    授权

  • 2013-04-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/48 申请日:20110303

    实质审查的生效

  • 2013-03-27

    公开

    公开

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