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碳/隧穿-势垒/碳二极管

摘要

公开了碳/隧穿-势垒/碳二极管和其形成方法。可以使用碳/隧穿-势垒/碳作为存储器阵列中的操纵元件。存储器阵列中的每个存储器单元可以包括可逆电阻率-切换元件和作为操纵元件的碳/隧穿-势垒/碳二极管。隧穿-势垒可以包括半导体或绝缘体。因此,该二极管可以是碳/半导体/碳二极管。二极管中的半导体可以是本征或掺杂的。当该二极管处于均衡状况下时,该半导体可以被耗尽。例如,该半导体可以被高度掺杂,以便耗尽区从半导体区域的一端延伸到另一端。该二极管可以是碳/绝缘体/碳二极管。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-08-17

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L45/00 变更前: 变更后: 申请日:20101208

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2016-06-08

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L45/00 登记生效日:20160520 变更前: 变更后: 申请日:20101208

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-12-02

    授权

    授权

  • 2013-02-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20101208

    实质审查的生效

  • 2013-01-09

    公开

    公开

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