ScAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种ScAlN/GaN双势垒共振隧穿二极管及其制作方法，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管峰值电流低、峰谷电流比小和微分负阻效应不对称的问题。其自下而上包括衬底、GaN外延层、n+GaN发射极欧姆接触层、GaN隔离层、第一势垒层、GaN量子阱层、第二势垒层、隔离层、集电极欧姆接触层和集电极电极；这两个势垒层均采用Sc组分在15％‑20％之间、厚度为1‑3nm且Sc组分、厚度相同的ScAlN；隔离层采用厚度为2‑4nm的InN；集电极欧姆接触层采用n+InN。本发明器件峰值电流高、峰谷电流比大、能实现正反向对称微分负阻效应，且工作频率和输出功率高，可用于高频太赫兹辐射源和高速数字电路。