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一种铟镓锌氧化物粉体及其陶瓷靶材的制备方法

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摘要

本发明提供一种铟镓锌氧化物粉体及其陶瓷靶材的制备方法，包括铟、镓、锌和氧，所述铟镓锌氧化物材料由组成式x(In₂O₃)-y(Ga₂O₃)-z(ZnO)表示，式中0.5

公开/公告号CN103193262B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-04

原文格式PDF
申请/专利权人桂林电子科技大学;
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申请/专利号CN201310120479.8
发明设计人许积文;王华;张小文;
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申请日2013-04-09
分类号C01G15/00(20060101);C01G9/02(20060101);C04B35/00(20060101);C04B35/622(20060101);
代理机构45112 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司;
代理人巢雄辉
地址 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
入库时间 2022-08-23 09:31:30

1. 一种铟镓锌氧化物粉体及其陶瓷靶材的制备方法 [P] . 中国专利： CN103193262B . 2015.11.04
2. 一种铟镓锌氧化物半导体薄膜和铟镓锌氧化物TFT制备方法 [P] . 中国专利： CN103779425B . 2016.04.06
3. INDIUM, GALLIUM, ZINC, OXIDE TARGET MANUFACTURING METHOD AND AN INDIUM, GALLIUM, ZINC, OXIDE TARGET THEREBY, CAPABLE OF MANUFACTURING SINGLE TARGET WHICH IS NOT SEPARATED [P] . 韩国专利： KR20130021621A . 2013-03-06

机译：铟，镓，锌，氧化物靶材的制造方法，以及由此可以制造未分离的单个靶材的铟，镓，锌，氧化物靶材的方法
4. In-Ga-Sn OXIDE SINTER, TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT [P] . 美国专利： US2012313057A1 . 2012-12-13

机译：铟镓锡氧化物烧结体，靶材，氧化物半导体膜和半导体元件
5. In-Ga-Sn OXIDE SINTER, TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT [P] . 世界知识产权组织专利： WO2011105047A1 . 2011-09-01

机译：铟镓锡氧化物烧结体，靶材，氧化物半导体膜和半导体元件