应变硅锗薄膜材料掺杂浓度测试方法

摘要

本发明提供了一种测试应变硅锗薄膜材料杂质浓度的方法。该方法的关键是通过理论分析和模拟，创建N型和P型Si_1-xGe_x材料电阻率ρ与杂质浓度N_D或N_A及Ge组分x的关系曲线，进而用四探针法测试应变Si_1-XGe_X材料的电压V和电流I的测量值，通过函数关系式，解出电阻率ρ，根据应变Si_1-xGe_x材料的类型和锗组分x以及得到的电阻率ρ，对应查找N型或P型应变Si_1-xGe_x电阻率ρ与杂质浓度N_D或N_A及Ge组分x的关系曲线，得出应变Si_1-XGe_X薄膜材料掺杂浓度。本发明具有简便快捷、精度较高、重复性好、在线应用、可与现行Si材料掺杂浓度检测技术相容等优点。