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一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构

摘要

一种IGBT模块的覆铜陶瓷基板结构,所述的覆铜陶瓷基板的正面覆铜层包括流过主电流的铜箔(120、121、122)以及辅助控制极的铜箔(101、102,110、111)。所述的辅助控制极铜箔包括:辅助栅极控制铜箔(102、111)和辅助发射极控制铜箔(101、110)。IGBT的栅极控制端子(103)通过绑定线连接到IGBT的辅助栅极控制铜箔(102),并通过绑定线进一步连接到IGBT芯片的栅极焊盘(109)。IGBT的发射极控制端子(104)通过绑定线连接到IGBT的辅助发射极控制铜箔(101),并通过绑定线连接到与IGBT的发射极相连的主电流铜箔(120)。

著录项

  • 公开/公告号CN102820277B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-08-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院电工研究所;

    申请/专利号CN201210301567.3

  • 发明设计人 钟玉林;苏伟;孟金磊;温旭辉;

    申请日2012-08-22

  • 分类号H01L23/498(20060101);H01L23/15(20060101);

  • 代理机构11251 北京科迪生专利代理有限责任公司;

  • 代理人关玲

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北二条6号

  • 入库时间 2022-08-23 09:28:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-13

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/498 登记生效日:20191126 变更前: 变更后: 申请日:20120822

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-08-26

    授权

    授权

  • 2015-08-26

    授权

    授权

  • 2013-01-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/498 申请日:20120822

    实质审查的生效

  • 2013-01-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/498 申请日:20120822

    实质审查的生效

  • 2012-12-12

    公开

    公开

  • 2012-12-12

    公开

    公开

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