具有垂直位线和双全局位线架构的可重编程非易失性存储器元件的三维阵列

摘要

公开了一种三维阵列，其特别适合于响应于跨越存储器元件施加的电压差而可逆地改变电导的水平的存储器元件。跨越位于半导体基板以上不同距离处的多个平面形成存储器元件。所有平面的存储器元件连接到的位线的二维阵列与基板垂直地取向并穿过多个平面。双全局位线架构为每条位线提供了一对全局位线，用于并行访问一行存储器元件。每对中的第一个允许该行局部位线被感测，而每对中的第二个允许毗邻行中的局部位线被设置到确定的电压以便消除毗邻行局部位线之间的泄漏电流。