一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种集成晶圆级真空封装的MEMS器件及其制造方法，所述制造方法包括：在单晶硅晶圆衬底上形成MEMS结构；在MEMS结构上形成第一牺牲层；在第一牺牲层上形成图形化的电极层；在电极层上形成第二牺牲层；在位于MEMS结构下方的单晶硅晶圆衬底上形成密封空腔，由第三牺牲层密封；图形化第二、第三牺牲层；在第三牺牲层上形成覆盖层；图形化覆盖层，去除所述第一、第二、第三牺牲层，使MEMS结构得到释放；在覆盖层上形成密封结构；在密封结构上形成金属引线；低温退火。本发明使得MEMS结构为单晶硅材料并锚定于封装结构的上部，减少了衬底应力对器件的影响，且电极和MEMS结构之间的间隙极小，降低了器件的能量损耗，实现了低成本、高品质的MEMS器件。