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Methods of fabrication of wafer-level vacuum packaged devices

机译:晶圆级真空封装器件的制造方法

摘要

An hermetic, gas filled or vacuum package device and method of making a vacuum package device. The device includes a device layer (22) having one or more Micro Electro-Mechanical Systems (MEMS) devices. The device layer includes one or more electrical leads coupled to the one or more MEMS devices. The device also includes a first wafer (30) having one or more silicon pins (32), wherein a first surface of the first wafer is bonded to a first surface of the device layer in such a manner that the one or more silicon pins are in electrical communication with the electrical leads. A second wafer (40), which may also have one or more silicon pins, is bonded to a second surface of the device layer. The first and second wafers are formed of borosilicate glass and the device layer is formed of silicon.
机译:气密,充气或真空包装设备以及制造真空包装设备的方法。该设备包括具有一个或多个微机电系统(MEMS)设备的设备层(22)。器件层包括耦合到一个或多个MEMS器件的一个或多个电引线。所述装置还包括具有一个或多个硅引脚(32)的第一晶片(30),其中所述第一晶片的第一表面以使所述一个或多个硅引脚为硅的方式结合到所述装置层的第一表面。与电线电连通。还可以具有一个或多个硅引脚的第二晶片(40)结合到器件层的第二表面。第一和第二晶片由硼硅酸盐玻璃形成,并且器件层由硅形成。

著录项

  • 公开/公告号EP1886969B1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-04-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HONEYWELL INT INC;

    申请/专利号EP20070113745

  • 发明设计人 ESKRIDGE MARK H.;JAFRI IJAZ H.;

    申请日2007-08-02

  • 分类号B81C1/00;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 17:17:15

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