法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-10-19
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/06 登记生效日:20180927 变更前: 变更后: 申请日:20120716
专利申请权、专利权的转移
2018-10-19
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/06 登记生效日:20180927 变更前: 变更后: 申请日:20120716
专利申请权、专利权的转移
2015-06-24
授权
授权
2015-06-24
授权
授权
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/06 申请日:20120716
实质审查的生效
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20120716
实质审查的生效
2012-10-17
公开
公开
2012-10-17
公开
公开
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机译: 通过氧化工艺使集成电路器件中的双多晶硅层自对准的方法
机译: 用于形成具有基本相同的器件架构的双多晶硅MOS和双极晶体管的BiCMOS工艺
机译: 具有沟槽隔离的多晶硅自对准双极器件及其制造工艺