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制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法

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一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO

著录项

公开/公告号CN102956774B

专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-24

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201210436128.3
发明设计人程滟;汪炼成;刘志强;伊晓燕;王国宏;
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申请日2012-11-05
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:27:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-06-24

授权

授权
2013-04-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/20 申请日:20121105

实质审查的生效
2013-03-06

公开

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