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减小SOI结构中的未接合区的宽度的方法以及由该方法制造的晶片和SOI结构

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摘要

本公开涉及具有减小的未接合区的绝缘体上硅结构的制备以及通过使处理晶片和供体晶片的滚降量（ROA）最小化来制造这样的晶片的方法。还提供用于抛光晶片的方法。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-18

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20190925 变更前: 变更后: 申请日:20110207

专利申请权、专利权的转移
2019-10-18

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20190925 变更前: 变更后: 申请日:20110207

专利申请权、专利权的转移
2015-06-17

授权

授权
2015-06-17

授权

授权
2012-12-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20110207

实质审查的生效
2012-12-26

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20110207

实质审查的生效
2012-11-07

公开

公开
2012-11-07

公开

公开

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1. 减小SOI结构中的未接合区的宽度的方法以及由该方法制造的晶片和SOI结构 [P] . 中国专利： CN102770955B . 2015.06.17
2. 用于降低SOI结构的器件层中的金属含量的方法以及通过该方法制造的SOI结构 [P] . 中国专利： CN103339713B . 2016.06.15
3. METHODS FOR REDUCING THE WIDTH OF THE UNBONDED REGION IN SOI STRUCTURES AND WAFERS AND SOI STRUCTURES PRODUCED BY SUCH METHODS [P] . 韩国专利： KR101972286B1 . 2019-04-24

机译：减小SOI结构中晶片未粘结区域宽度的方法和通过这种方法生产的SOI结构中的未粘结区域的宽度
4. METHODS FOR REDUCING THE WIDTH OF THE UNBONDED REGION IN SOI STRUCTURES AND WAFERS AND SOI STRUCTURES PRODUCED BY SUCH METHODS [P] . 韩国专利： KR101882026B1 . 2018-07-25

机译：减小SOI结构中晶片未粘结区域宽度的方法和通过这种方法生产的SOI结构中的未粘结区域的宽度
5. METHODS FOR REDUCING THE WIDTH OF THE UNBONDED REGION IN SOI STRUCTURES AND WAFERS AND SOI STRUCTURES PRODUCED BY SUCH METHODS [P] . 韩国专利： KR20180052773A . 2018-05-18

机译：减小SOI结构中晶片未粘结区域宽度的方法和通过这种方法生产的SOI结构中的未粘结区域的宽度