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何玉娟; 刘洁; 恩云飞; 罗宏伟; 师谦;
电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室;
SOI; 总剂量效应; FLEXFET; G^4-FET;
机译:通过形成新的掩埋层结构来降低SOI MOSFET中的自热效应
机译:菌株SOI-MOSFET引入具有高流动性的新结构
机译:耐辐射专用集成电路的抗辐射栅极N-MOSFET结构
机译:比较现有和建议的SOI MOSFET器件结构以最大程度地减少总剂量辐射损伤
机译:使用预应力GFRP板的混凝土结构的抗弯和抗剪加固。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:sOI(绝缘体上硅)mosfets总剂量测试的测试结构
机译:包含各种改进结构的抗辐射双栅半导体晶体管器件,包括MOSFET栅极和JFET栅极结构以及相关方法
机译:改善soi结构抗辐射性能的方法
机译:改善SOI结构的抗辐射性能的方法
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