基于SOI的微电子器件抗辐射加固技术

摘要

近年来,我国航天事业取得了令世人瞩目的成就,越来越多的人造卫星被发射于太空中,从而为人们的生产生活带来了巨大的便利.对于人造卫星来说,由于其受到太空的强烈辐射的影响,致使其内部微电子器件的硅层与二氧化硅层会产生电离,并进一步引发瞬时效应与闭锁效应,进而大大降低了人造卫星的运行可靠性.因此必须要通过SOI工艺来对微电子器件进行抗辐射加固,为此,本文便对基于SOI的微电子器件抗辐射加固技术进行深入的探讨与研究.