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鳍式场效应晶体管的制造方法、鳍式场效应晶体管

摘要

一种鳍式场效应晶体管的制造方法、鳍式场效应晶体管,所述制造方法包括:提供衬底;在衬底上依次形成半导体层、介质层;图形化所述介质层形成第一开口;在所述第一开口的侧壁上形成侧墙,所述侧墙和所述第一开口的底部围成第二开口;去除所述第二开口露出的半导体层直至露出衬底,形成第三开口;向所述第三开口中填充绝缘材料,形成绝缘层;去除介质层,以所述侧墙为掩模去除所述侧墙露出的半导体层,形成鳍部。所述鳍式场效应晶体管包括衬底,位于衬底上的多个鳍部、位于鳍部之间的绝缘层,覆盖于所述鳍部、绝缘层及衬底上的栅极层。本发明可以减少鳍部损伤。

著录项

  • 公开/公告号CN102956496B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201110252227.1

  • 发明设计人 三重野文健;

    申请日2011-08-30

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人骆苏华

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:26:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-03

    授权

    授权

  • 2013-04-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20110830

    实质审查的生效

  • 2013-03-06

    公开

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