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具有薄氮化硅层的金刚石SOI

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摘要

一种用于半导体器件的方法和结构，所述半导体器件包括形成在金刚石SOI层和器件硅层之间的薄氮化物层，以阻挡离子的扩散和提高器件硅的寿命。

1. 具有薄氮化硅层的金刚石SOI [P] . 中国专利： CN102142363B . 2015.04.22
2. 具有绝缘体上半导体（SOI）构造且在薄半导体层上包含超晶格的半导体器件及相关方法 [P] . 中国专利： CN101278400A . 2008-10-01
3. Diamond SOI with thin silicon nitride layer and related methods [P] . 美国专利： US8815641B2 . 2014-08-26

机译：具有薄氮化硅层的金刚石SOI及其相关方法
4. Diamond - soi with a thin silicon nitride layer [P] . 德国专利： DE102010017600A1 . 2011-08-04

机译：金刚石-具有薄氮化硅层的SOI
5. DIAMOND SOI WITH THIN SILICON NITRIDE LAYER [P] . 美国专利： US2011186840A1 . 2011-08-04

机译：薄氮化硅层的金刚石SOI