具有绝缘体上半导体（SOI）构造且在薄半导体层上包含超晶格的半导体器件及相关方法

摘要

一种半导体器件，可以包括基片、位于基片上的绝缘层和位于与基片相对的绝缘层的一侧上的半导体层。该半导体器件还包括位于与绝缘层相对的半导体层的一侧上的超晶格。该超晶格可以包括多个叠加的层组，其中的每一组包括限定基础半导体部分的多个叠加的基础半导体单层和在其上的至少一个非半导体单层。所述至少一个非半导体单层被限制于相邻基础半导体部分的晶格内。