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许宁; 郑志豪;
不详;
金刚石; 薄膜; 生长; 氮化硅; 掩蔽层;
机译:金属有机化学气相沉积低能Ga离子注入对氮化硅表面氮化镓层选择性生长的影响
机译:脂质体化学疗法中靶向配体的掩蔽和触发解掩蔽选择性抑制体内肿瘤生长
机译:氮化硅阻挡层在III–V层的MBE模拟生长过程中减轻了硅晶片中少数载流子的寿命退化。
机译:CVD金刚石薄膜通过官能化播种具有高成核密度的氮化硅插入件(Si_3N_4)的生长
机译:金刚石薄膜的生长和表征:基底预处理,掺杂和选择性沉积的影响
机译:掺杂的纳米晶金刚石薄膜作为液体折射率的光纤传感器的反射层
机译:氮化硅层选择性激光烧蚀的烧蚀机理研究
机译:金刚石原子层外延的进展:金刚石薄膜一次生长一层。
机译:自由站立的III-N层或在III-N层生长期间通过选择性掩蔽III-N层获得的器件
机译:通过提供氮化硅层和二氧化硅层来制备半导体结构的方法,所述氮化硅层和二氧化硅层可用于以比氮化硅层更高的选择性蚀刻二氧化硅层
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