法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-01-21
授权
授权
2012-12-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20120620
实质审查的生效
2012-10-17
公开
公开
机译: 硅团簇超晶格,硅团簇超晶格的制备方法,硅团簇的制备方法,硅团簇超晶格结构,硅团簇超晶格结构的制备方法,半导体器件和量子器件
机译: 半导体层结构具有超晶格,该超晶格具有一种成分和另一种成分的连接半导体的交替堆叠层,其中堆叠层具有特定浓度的掺杂剂
机译: 发射辐射的半导体器件包括:有源层,其布置在n和p掺杂的壳体层之间;扩散停止层,其具有张紧的超晶格,该张紧的超晶格布置在有源层和p掺杂的壳体层之间