基于超晶格结构和δ掺杂的高效发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开了一种超晶格结构和δ掺杂的高效发光二极管及其制备方法，主要解决现有p型区Mg的离化率低，导致发光二极管效率低的问题。其自下而上包括：c面蓝宝石衬底(1)、高温AlN成核层(2)、n型GaN层(3)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱(4)、电子阻挡层(5)和p型层(6)，其中：p型层包括三层，即上、下层为均匀掺杂Mg的GaN材料，中间为δ掺杂的GaN/AlGaN超晶格结构的材料。本发明增加了p型层中Mg的离化率，提高了发光效率，可用于水净化、生物制剂检测、杀菌和医药设备中。