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王喆; 逯瑶; 王培吉;
济南大学物理科学与技术学院,山东济南250022;
超晶格; 能带结构; 态密度; 光学性质;
机译:N溶解度在SnO2宿主晶格中对P型Ga-和N-掺杂SnO2(GNTO)膜的结构,电和光学性质的影响
机译:用杂交功能理论法对Nb和F共掺杂SnO2的电子结构和光学性质的洞察
机译:Cu-掺杂SnO2的电子结构和光学性质
机译:La或In掺杂的SnO2的电子结构和光学性质:第一性原理计算
机译:III-V和II-VI半导体超晶格的电子结构和光学性质。
机译:源自纳米晶超晶格的FeNS掺杂的碳骨架旨在提高氧还原活性
机译:电荷掺杂对电子结构,轨道的影响 镍酸盐超晶格中的极化和结构变形
机译:金属有机化学气相沉积法制备Inp掺杂超晶格的光学性质
机译:发射辐射的半导体器件包括:有源层,其布置在n和p掺杂的壳体层之间;扩散停止层,其具有张紧的超晶格,该张紧的超晶格布置在有源层和p掺杂的壳体层之间
机译:技术领域[0001]本发明涉及一种用于制造层状超晶格材料的方法和包括该层状超晶格材料的电子器件的制造方法(制造层状超晶格材料和制造包括相同层的电子器件的方法)
机译:半导体连接划定了具有超晶格的半导体器件,该超晶格具有其掺杂的区域和与其邻接的半导体层
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