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晶圆上多个通孔的电沉积过程优化方法

摘要

本发明提供一种晶圆上通孔电沉积过程的优化方法。不需要对晶圆上大量通孔进行通孔填充模拟,而是根据最大值关键因子选择一个代表性通孔。使用不同的样本点,对代表性通孔的填充进行模拟,找出填充优度,用以找到工艺参数的最优工艺窗口。也披露了一个优化器,其提供样本点或者使用人工神经网络方法减少样本点。填充优度的计算值被用于评估通孔填充质量,进一步比较不同样本点上模拟的通孔填充。因此,本发明方法可以缩短通孔填充的模拟时间,又能提供高准确度的工艺窗口。

著录项

  • 公开/公告号CN103354217B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 香港应用科技研究院有限公司;

    申请/专利号CN201310244591.2

  • 发明设计人 孙耀峰;谢斌;史训清;董鸥;

    申请日2013-06-19

  • 分类号

  • 代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司;

  • 代理人江耀纯

  • 地址 中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心3楼

  • 入库时间 2022-08-23 09:23:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-01-21

    授权

    授权

  • 2013-11-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20130619

    实质审查的生效

  • 2013-10-16

    公开

    公开

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