晶种层数量减少的晶圆级芯片规模封装结构的形成

摘要

本发明涉及一种方法，包括在金属焊盘上方形成钝化层，该金属焊盘置于半导体衬底上方。在钝化层中形成第一开口，金属焊盘的一部分通过该第一开口暴露出来。晶种层形成在钝化层上方并且与金属焊盘电连接。该晶种层进一步包括位于钝化层上方的一部分。在晶种层上方形成第一掩模，其中，第一掩模具有位于金属焊盘的至少一个部分正上方的第二开口。PPI形成在晶种层上方和第二开口中。第二掩模形成在第一掩模上方，在该第二掩模中形成了第三开口。金属凸块的一部分形成在该第三开口中。在形成金属凸块的部分的步骤之后，去除第一掩模和第二掩模。本发明还提供了一种晶种层数量减少的晶圆级芯片规模封装结构的形成。