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公开/公告号CN103258796B
专利类型发明专利
公开/公告日2015-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201310176286.4
发明设计人 周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩;
申请日2013-05-14
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:23:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-01-28
授权
2013-09-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20130514
实质审查的生效
2013-08-21
公开
机译: 高K垫片,用于具有高迁移率沟道材料的免扩展CMOS器件
机译: 通过处理氧化物界面铯离子,形成具有高沟道迁移率的SiCMOSFET
机译: 使用栅电极的CMOS晶体管通过引起局部沟道应力来增加沟道迁移率
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的超薄沟道N极性GaN /(AlN,InAlN,AlGaN)高电子迁移率异质结中的非常高的沟道电导率
机译:用于高级CMOS应用的高迁移率外延GaAs / Ge沟道材料上的溅射沉积ZrO_2栅极电介质
机译:迈向高性能SiGe沟道CMOS:性能优于Si的SiGe nFinFET中的高电子迁移率设计
机译:适用于未来规模化技术的高介电常数电介质和高迁移率半导体:氧化ha /锗CMOS器件的Ha基高K栅极电介质和界面工程
机译:AlN /蓝宝石模板上的薄沟道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的高横向击穿电压
机译:扩展Si CMOS:InGaAs和GeSn高迁移率沟道晶体管,适合未来的高速和低功耗应用
机译:推动高Kappa电介质的材料限制,用于超过si CmOs等的科学/技术的高载流子迁移率半导体。