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王小力; 袁刚;
西安交通大学理学院;
西安交通大学电子与信息工程学院;
CMOS; 过量因子; 共栅结构; 低噪声放大器; 宽带低噪声放大器;
机译:4 mW 3-5 GHz电流重用g m sub>增强型短通道共栅CMOS UWB LNA
机译:4 mW 3-5 GHz电流重用g_m增强的短通道共栅CMOS UWB LNA
机译:利用双负反馈同时实现噪声,增益和带宽优化的宽带共栅CMOS LNA
机译:CMOS折叠共源共栅LNA在低电压和低功耗操作下的增益增加技术
机译:用于多无线电多模应用的宽带高度线性CMOS LNA设计。
机译:双栅三有源层沟道用于AMOLED像素电路的IGZO薄膜晶体管的设计与分析
机译:用于多标准应用的1V 90nm CMOS折叠共源共栅LNA设计
机译:短沟道绝缘栅场效应晶体管的精确模型
机译:用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法,所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值
机译:短沟道器件的共形替换栅电极
机译:高宽比栅和短沟道长度绝缘栅场效应晶体管的方法和结构
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