制造具有不同栅极氧化物厚度的MOSFET的方法

摘要

本发明提供了一种制造具有不同栅极氧化物厚度的MOSFET的方法。其中，第一层二氧化硅在硅衬底表面上生长。二氧化硅层的一部分覆盖第一隔离区，二氧化硅层的另一部分覆盖第二隔离区。无机层制作在二氧化硅层之上。光刻胶层覆盖在无机层之上。图形化光刻胶层使其在无机层的第一部分上具有一个窗口。利用刻蚀液接触图形化的光刻胶层，选择性地去除无机层的第一部分，由此将下面的硅衬底表面部分暴露出来，同时保留无机层的第二部分，无机层图形化为无机掩膜。无机掩膜用于去除生长二氧化硅的暴露部分。第二层二氧化硅在下面暴露出来的硅衬底部分上生长，其厚度不同于第一层二氧化硅的厚度。二氧化硅层图形化为用于一对MOSFET中的每一个的栅极氧化物。