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ZnS一维纳米同质超晶格结构的制备方法

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ZnS一维纳米同质超晶格结构的制备方法，包括以下步骤：（1）选取ZnS粉末和MnCl

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-10-09

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/30 授权公告日:20141203 终止日期:20171015 申请日:20121015

专利权的终止
2014-12-03

授权

授权
2014-12-03

授权

授权
2013-02-27

实质审查的生效 IPC(主分类):C01G9/08 申请日:20121015

实质审查的生效
2013-02-27

实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 9/08 申请日:20121015

实质审查的生效
2013-01-16

公开

公开
2013-01-16

公开

公开

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1. ZnS一维纳米同质超晶格结构的制备方法 [P] . 中国专利： CN102874864B . 2014.12.03
2. ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法 [P] . 中国专利： CN102104078B . 2012.03.28
3. SILICON CLUSTER SUPERLATTICE, METHOD FOR PREPARING SILICON CLUSTER SUPERLATTICE, METHOD FOR PREPARING SILICON CLUSTER, SILICON CLUSTER SUPERLATTICE STRUCTURE, METHOD FOR PREPARING SILICON CLUSTER SUPERLATTICE STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND QUANTUM DEVICE [P] . 世界知识产权组织专利： WO03026017A1 . 2003-03-27

机译：硅团簇超晶格，硅团簇超晶格的制备方法，硅团簇的制备方法，硅团簇超晶格结构，硅团簇超晶格结构的制备方法，半导体器件和量子器件
4. METHOD FOR PRODUCING 1-DIMENSION NANOSTRUCTURE INCLUDING METAL NANO-PARTICLE, THE 1-DIMENSION NANOSTRUCTURE INCLUDING METAL NANO-PARTICLE PRODUCED THEREBY, PHOTOCATALYST INCLUDING THE 1-DIMENSION NANOSTRUCTURE [P] . 韩国专利： KR20100018879A . 2010-02-18

机译：包括金属纳米粒子的一维纳米结构的制备方法，由此产生的包括金属纳米粒子的一维纳米结构，包括一维纳米结构的光催化剂
5. METHOD FOR PRODUCING NANOSTRUCTURES WITH CHALCOGEN ELEMENTS, PARTICULARLY SO-CALLED ONE-DIMENSIONAL OR 1D NANOSTRUCTURES [P] . 世界知识产权组织专利： WO2009098212A3 . 2009-11-05

机译：含硫元素的纳米结构，特别是一维或一维纳米结构的制备方法