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李志杰; 潘学铃;
沈阳工业大学;
沈阳大学;
半导体; 超晶格; 亚带结构; 应变层超晶格; 硫化锌;
机译:ZnSe / Si,ZnSe / Ge和ZnSe / SiGe超晶格的电子结构和界面性质
机译:使用ZnSe / ZnTe应变层超晶格缓冲层在GaAs上生长的高质量ZnTe的结构和光学性质
机译:界面反应性对ZnSe / GaAs超晶格带隙的影响
机译:ZnSe / GaAs(100)薄层ZnS-ZnSe-ZnS / GaAs(100)单量子阱结构和光辅助VPE生长的ZnS / ZnSe / GaAs(100)超晶格
机译:金属有机气相法研究ZnS薄膜和ZnSe-ZnSSe应变超晶格的物理性质
机译:模拟Zn1-xMnxSe / GaAs外延膜MnSe / ZnSe超晶格的远红外光谱并预测Zn1-xMnxSe中NP缺陷的杂质模式
机译:ZnSe / ZnSxSe1-x应变层超晶格的一和二光子光谱的激子性质
机译:脉冲激光烧蚀在(001)Gaas上生长的外延Zns,Znse和Zns-Znse超晶格
机译:高导电性N型ZNS,ZNSE,ZNS / ZNSE或ZNSE / ZNTE的生产
机译:具有超晶格结构的阱层和/或超晶格结构的阻挡层的发光二极管
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