ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构光致发光研究

关郑平; 范广涵; 宋世惠; 范希武

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ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构光致发光研究

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本文研究了ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构在77K时自由激子的光致发光的线型随激发光密度、势阱涨落、势垒高度的涨落及各层厚对超晶格发光峰E_(?)的影响,并利用Kronig-Penney模型计算了n=1的激子峰值能量与势阱宽度、势垒高度涨落的关系.首次从实验上分析了77-250K温度范围内ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格激子发光的线型与各参量的密切关系.

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来源
《半导体学报》 |1991年第3期|165-171|共7页
作者
关郑平; 范广涵; 宋世惠; 范希武;
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作者单位

中国科学院长春物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.26;
关键词
ZnSeS/ZnSe; 超晶格; 结构; 光致发光;

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