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ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料以及单晶ZnS纳米管的制备方法,属于一维纳米半导体技术领域。本发明采用两步化学气相沉积法成功制备出了ZnO/ZnS核壳结构的一维纳米材料,并通过后期醋酸处理得到单晶ZnS纳米管。此发明操作简单,对设备和原料条件要求低,且制备出的ZnO/ZnS核壳结构一维纳米材料,形貌纯净,ZnS外延性好,且是单晶外延,有区别于单一ZnO和ZnS纳米材料的光电特性,在纳米光电领域中具有广泛的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN102104078B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-03-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院理化技术研究所;

    申请/专利号CN201010597879.4

  • 发明设计人 孟祥敏;黄兴;

    申请日2010-12-21

  • 分类号

  • 代理机构北京正理专利代理有限公司;

  • 代理人张雪梅

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村北一条2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-03-28

    授权

    授权

  • 2011-08-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0336 申请日:20101221

    实质审查的生效

  • 2011-06-22

    公开

    公开

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