法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 11/00 授权公告日:20141203 终止日期:20170829 申请日:20120829
专利权的终止
2014-12-03
授权
授权
2014-12-03
授权
授权
2013-01-16
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/00 申请日:20120829
实质审查的生效
2013-01-16
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 11/00 申请日:20120829
实质审查的生效
2012-11-21
公开
公开
2012-11-21
公开
公开
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机译: 一种生产单晶或准单晶金刚石层的方法,该方法布置在单晶或准单晶金刚石层的主体上。
机译: 高温超导体大准单晶的制备方法
机译: 石墨中插层复合准单晶的制备方法